IXFY5N50P3 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFY5N50P3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 9,19000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFY5N50P3
Numer produktu DigiKey	IXFY5N50P3-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFY5N50P3
Opis	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 5A (Tc) 114W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Polar3™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,65Ohm przy 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	370 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	114W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IXFY5N50