IXFN66N50Q2 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFN66N50Q2
Numer produktu DigiKey	IXFN66N50Q2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFN66N50Q2
Opis	MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 66A (Tc) 735W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	66A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	80mOhm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	199 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	735W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-227B
Obudowa / skrzynia	SOT-227-4, miniBLOC
Bazowy numer produktu	IXFN66

IXFN66N50Q2