Name: IXFN80N50Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFN80N50Q3-ND
Price: 228.0174 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFN80N50Q3
Numer produktu DigiKey	IXFN80N50Q3-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFN80N50Q3
Opis	MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 63A (Tc) 780W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Q3 Class
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	63A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	6,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10000 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	780W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-227B
Obudowa / skrzynia	SOT-227-4, miniBLOC
Bazowy numer produktu	IXFN80

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 64

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	185,38000 zł	185,38 zł
10	140,27300 zł	1 402,73 zł
100	132,60220 zł	13 260,22 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.