Kanał N 1200 V 48A (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFN50N120SK

Numer produktu DigiKey
IXFN50N120SK-ND
Producent
IXYS
Numer produktu producenta
IXFN50N120SK
Opis
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 48A (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
IXYS
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
48A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
52mOhm przy 40A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,8V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
115 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1895 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
-
Temperatura robocza
-40°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia
SOT-227B
Obudowa / skrzynia
SOT-227-4, miniBLOC
Bazowy numer produktu
IXFN50
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
IXFN55N120SK

IXFN55N120SK

SIC AND MULTICHIP DISCRETE

IXYS

Niedostępne