Kanał N 1200 V 54A (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFN55N120SK

Numer produktu DigiKey
238-IXFN55N120SK-ND
Producent
IXYS
Numer produktu producenta
IXFN55N120SK
Opis
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 54A (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
IXYS
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
54A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
42mOhm a 40A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,6V a 12mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
107 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
+15V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3360 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
-
Temperatura robocza
-40°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia
SOT-227B
Obudowa / skrzynia
SOT-227-4, miniBLOC
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.