Name: IXFN32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFN32N100Q3-ND
Price: 275.9997 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFN32N100Q3
Numer produktu DigiKey	IXFN32N100Q3-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFN32N100Q3
Opis	MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1000 V 28A (Tc) 780W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227B
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Q3 Class
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1000 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	320mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	6,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9940 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	780W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-227B
Obudowa / skrzynia	SOT-227-4, miniBLOC
Bazowy numer produktu	IXFN32

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 286

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	224,39000 zł	224,39 zł
10	171,71600 zł	1 717,16 zł
100	167,56910 zł	16 756,91 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.