IXFK52N60Q2 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFK52N60Q2 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Microchip Technology

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 83,55767 zł

Similar

Microchip Technology

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 56,58350 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 30,67000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFK52N60Q2
Numer produktu DigiKey	IXFK52N60Q2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFK52N60Q2
Opis	MOSFET N-CH 600V 52A TO264AA
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 52A (Tc) 735W (Tc) Otwór przelotowy TO-264AA (IXFK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Q2 Class
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	52A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	115mOhm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	198 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	735W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-264AA (IXFK)
Obudowa / skrzynia	TO-264-3, TO-264AA
Bazowy numer produktu	IXFK52