IXFH60N60X3 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFH60N60X3 nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.

Dostępne zamienniki:

Similar

IXFH60N65X2

IXYS

W magazynie: 5 075

Cena jednostkowa : 47,32000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał N 600 V 60A (Tc) 625W (Tc) Otwór przelotowy TO-247

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH60N60X3
Numer produktu DigiKey	238-IXFH60N60X3-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFH60N60X3
Opis	MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 60A (Tc) 625W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Ultra X3
Opakowanie	Rurka
Status części	Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	51mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3450 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	625W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXFH60

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki.