IXFA18N60X jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,75637 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 7 167
Cena jednostkowa : 8,91000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,59681 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 3 907
Cena jednostkowa : 13,13000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 240
Cena jednostkowa : 15,04000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,00139 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 6 278
Cena jednostkowa : 16,91000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 605
Cena jednostkowa : 11,15000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 770
Cena jednostkowa : 13,35000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,71592 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 898
Cena jednostkowa : 20,87000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 39
Cena jednostkowa : 21,57000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 18A (Tc) 320W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA (IXFA)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFA18N60X

Numer produktu DigiKey
IXFA18N60X-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXFA18N60X
Opis
MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 18A (Tc) 320W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA (IXFA)
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
230mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 1,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1440 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
320W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263AA (IXFA)
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.