Name: SIHB15N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB15N60E-GE3-ND
Price: 19.3848 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHB15N60E-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHB15N60E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHB15N60E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 78 nC @ 10 V
Opakowanie Zbiorcze	Vgs (maks.) ±30V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1350 pF @ 100 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 180W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 280mOhm przy 8A, 10V	Bazowy numer produktu SIHB15

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 240

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	15,76000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	19,38480 zł

SIHB15N60E-GE3