FII30-12E IXYS | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FII30-12E
Numer produktu DigiKey	FII30-12E-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	FII30-12E
Opis	IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Macierz NPT Półmostek 1200 V 33 A 150 W Otwór przelotowy ISOPLUS i4-PAC™
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Układy tranzystorów IGBT
Producent	IXYS
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	NPT
Konfiguracja	Półmostek
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	1200 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	33 A
Moc - maks.	150 W
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2,9V przy 15V, 20A
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	200 µA
Pojemność wejściowa (Cies) przy Vce	1.2 nF @ 25 V
Wejście	Standard
Termistor NTC	Brak
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	i4-Pac™-5
Obudowa dostawcy urządzenia	ISOPLUS i4-PAC™
Bazowy numer produktu	FII30