
SPP17N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SPP17N80C3XKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SPP17N80C3XKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3-1 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SPP17N80C3XKSA1 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,9V przy 1mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 177 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2320 pF @ 25 V |
Status części Nie do nowych projektów | Straty mocy (maks.) 208W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO220-3-1 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 290mOhm przy 11A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 11,13000 zł | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 14,36000 zł | Similar |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | 15,12000 zł | Similar |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 970 | 497-4369-5-ND | 26,39000 zł | Similar |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 10,92000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 19,46000 zł | 19,46 zł |
| 50 | 10,11740 zł | 505,87 zł |
| 100 | 9,21470 zł | 921,47 zł |
| 500 | 7,63326 zł | 3 816,63 zł |
| 1 000 | 7,12558 zł | 7 125,58 zł |
| 2 000 | 6,69893 zł | 13 397,86 zł |
| 5 000 | 6,68651 zł | 33 432,55 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 19,46000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 23,93580 zł |












