Name: SPD04N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04N80C3ATMA1TR-ND
Price: 10.0737 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SPD04N80C3ATMA1
Numer produktu DigiKey	SPD04N80C3ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SPD04N80C3ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) SPD04N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPD04N80C3ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SPD04N80C3ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,9V przy 240µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 31 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 570 pF @ 100 V
Status części Nie do nowych projektów	Straty mocy (maks.) 63W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu SPD04N80
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,3Ohm przy 2,5A, 10V