Name: SPD03N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND
Price: 8.2533 PLN
Availability: InStock

SPD03N60C3ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-SPD03N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPD03N60C3ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SPD03N60C3ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,9V przy 135µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	38W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	SPD03N60

Cena jednostkowa bez VAT:	6,71000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,25330 zł

SPD03N60C3ATMA1