SPD03N60S5BTMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 216
Cena jednostkowa : 4,70000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 3 979
Cena jednostkowa : 9,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 4 510
Cena jednostkowa : 6,09000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,69634 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 909
Cena jednostkowa : 6,49000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 455
Cena jednostkowa : 9,35000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,15000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 136
Cena jednostkowa : 10,01000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 7 212
Cena jednostkowa : 6,75000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SPD03N60S5BTMA1

Numer produktu DigiKey
SPD03N60S5BTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
SPD03N60S5BTMA1
Opis
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,4Ohm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,5V przy 135µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
420 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
38W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Zapasy z platformy handlowej: 11 526 wyświetl teraz
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.

Other Suppliers on DigiKey

11 526W magazynie
Wysyłający: Rochester Electronics, LLC