Name: SPD02N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD02N80C3ATMA1TR-ND
Price: 7.6875 PLN
Availability: InStock

SPD02N80C3ATMA1
Numer produktu DigiKey	SPD02N80C3ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SPD02N80C3ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) SPD02N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPD02N80C3ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SPD02N80C3ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,7Ohm przy 1,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,9V przy 120µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	290 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	SPD02N80

Cena jednostkowa bez VAT:	6,25000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,68750 zł

SPD02N80C3ATMA1