SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SPB18P06PGATMA1
Numer produktu DigiKey	SPB18P06PGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SPB18P06PGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPB18P06PGATMA1
Opis	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 18,7A (Ta) 81,1W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	SIPMOS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18,7A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	130mOhm przy 13,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	860 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	81,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	SPB18P06

Cena jednostkowa bez VAT:	6,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,76130 zł

SPB18P06PGATMA1