SI4435DYTRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SI4435DYTRPBF
Numer produktu DigiKey	SI4435DYPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4435DYPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) SI4435DYPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SI4435DYTRPBF
Opis	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 8A (Tc) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4435DYTRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	20mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2320 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	SI4435

Cena jednostkowa bez VAT:	4,84000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,95320 zł

SI4435DYTRPBF