Name: ISK057N04LM6ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND
Price: 4.9077 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISK057N04LM6ATSA1
Numer produktu DigiKey	448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISK057N04LM6ATSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISK057N04LM6ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISK057N04LM6ATSA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 39,1W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-6-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISK057N04LM6ATSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta), 64A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,75mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	870 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 39,1W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VSON-6-1
Obudowa / skrzynia	6-PowerVDFN