Name: ISK018NE1LM7ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND
Price: 6.9741 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISK018NE1LM7ATSA1
Numer produktu DigiKey	448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISK018NE1LM7ATSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISK018NE1LM7ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISK018NE1LM7ATSA1
Opis	ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 2,1W (Ta), 39W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-6-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISK018NE1LM7ATSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	15 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Ta), 129A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 7V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,8mOhm przy 20A, 7V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 106µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13.6 nC @ 7 V
Vgs (maks.)	±7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1600 pF @ 7.5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VSON-6-1
Obudowa / skrzynia	6-PowerVDFN