ISK057N04LM6ATLA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

ISK057N04LM6ATLA1
Numer produktu DigiKey	448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISK057N04LM6ATLA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISK057N04LM6ATLA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISK057N04LM6ATLA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 64A (Tc) 2,1W (Ta), 39,1W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VSON-6-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISK057N04LM6ATLA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	64A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,75mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	870 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 39,1W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VSON-6-1
Obudowa / skrzynia	6-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	ISK057N04

ISK057N04LM6ATLA1