Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 19.9875 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISG0613N04NM6HATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISG0613N04NM6HATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-VITFN-10-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,88mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,8V przy 780µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	104nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6200pF przy 20V
Moc - maks.	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	10-PowerVDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-VITFN-10-1