Name: ISC16DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC16DP15LMATMA1TR-ND
Price: 15.9408 PLN
Availability: InStock

ISC16DP15LMATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC16DP15LMATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC16DP15LMATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC16DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC16DP15LMATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 150 V 2,5A (Ta), 22A (Tc) 2,5W (Ta), 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-45
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISC16DP15LMATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,5A (Ta), 22A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 2,304mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4600 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-45
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	12,96000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,94080 zł

ISC16DP15LMATMA1