IRLR3802PBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRLR3802PBF
Numer produktu DigiKey	IRLR3802PBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRLR3802PBF
Opis	MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 12 V 84A (Tc) 88W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRLR3802PBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	84A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,5mOhm przy 15A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,9V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	41 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2490 pF @ 6 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	88W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA (DPAK)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63

IRLR3802PBF