Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 10.3566 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLR3636TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRLR3636TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,8mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3779 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	143W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA (DPAK)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IRLR3636