IRLML2502GTRPBF Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

IRLML2502GTRPBF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Infineon Technologies

W magazynie: 40 434

Cena jednostkowa : 1,90000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 29 278

Cena jednostkowa : 1,24000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 32 129

Cena jednostkowa : 2,75000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 17 464

Cena jednostkowa : 2,09000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLML2502GTRPBF
Numer produktu DigiKey	IRLML2502GTRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRLML2502GTRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRLML2502GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRLML2502GTRPBF
Opis	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 4,2A (Ta) 1,25W (Ta) Montaż powierzchniowy Micro3™/SOT-23
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	740 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,25W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	Micro3™/SOT-23
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3