Name: ZXMN2F30FHTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN2F30FHTR-ND
Price: 2.7552 PLN
Availability: OutOfStock

ZXMN2F30FHTA
Numer produktu DigiKey	ZXMN2F30FHTR-ND - Taśma i szpula (TR) ZXMN2F30FHCT-ND - Taśma cięta (CT) ZXMN2F30FHDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMN2F30FHTA
Opis	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 4,1A (Ta) 960mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	452 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	ZXMN2

Cena jednostkowa bez VAT:	2,24000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,75520 zł

ZXMN2F30FHTA