IRLB4030PBF nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,28659 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,37764 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,62720 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,93390 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,39684 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,61918 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,80977 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,55082 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,94594 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,13299 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,24818 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 198
Cena jednostkowa : 13,14000 zł
Arkusz danych
Kanał N 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLB4030PBF

Numer produktu DigiKey
448-IRLB4030PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRLB4030PBF
Opis
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRLB4030PBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
4,3mOhm przy 110A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
130 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
11360 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
370W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,32000 zł13,32 zł
108,72900 zł87,29 zł
1006,12070 zł612,07 zł
5005,00724 zł2 503,62 zł
1 0004,64957 zł4 649,57 zł
2 0004,58256 zł9 165,12 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:13,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,38360 zł