IRFU9120NPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRFU9120NPBF
Numer produktu DigiKey	IRFU9120NPBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFU9120NPBF
Opis	MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 6,6A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy IPAK (TO-251AA)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	480mOhm przy 3,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	350 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	40W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	IPAK (TO-251AA)
Obudowa / skrzynia	TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA

IRFU9120NPBF