Name: IRFS3107TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS3107TRLPBFTR-ND
Price: 21.8817 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IRFS3107TRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRFS3107TRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFS3107TRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFS3107TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFS3107TRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFS3107TRLPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	195A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 140A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9370 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	370W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRFS3107

Cena jednostkowa bez VAT:	17,79000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	21,88170 zł

IRFS3107TRLPBF