Name: BSC110N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC110N15NS5ATMA1TR-ND
Price: 17.2692 PLN
Availability: InStock

BSC110N15NS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC110N15NS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC110N15NS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC110N15NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC110N15NS5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC110N15NS5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	76A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11mOhm przy 38A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,6V przy 91µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2770 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-7
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC110

Cena jednostkowa bez VAT:	14,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,26920 zł

BSC110N15NS5ATMA1