Name: IRFS3107TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS3107TRLPBFTR-ND
Price: 22.9641 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFS3107TRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRFS3107TRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFS3107TRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFS3107TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFS3107TRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFS3107TRLPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 240 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9370 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 370W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 75 V	Obudowa dostawcy urządzenia D2PAK
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 195A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IRFS3107
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3mOhm przy 140A, 10V