IRFR4105ZPBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


Infineon Technologies
W magazynie: 5 740
Cena jednostkowa : 5,17000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 18 973
Cena jednostkowa : 7,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 12 204
Cena jednostkowa : 8,51000 zł
Arkusz danych

Similar


Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,59000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 10 495
Cena jednostkowa : 6,18000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 4 715
Cena jednostkowa : 6,36000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 11 780
Cena jednostkowa : 5,75000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 7 889
Cena jednostkowa : 11,53000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 3 931
Cena jednostkowa : 6,75000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 989
Cena jednostkowa : 8,40000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 6 031
Cena jednostkowa : 7,18000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 4 161
Cena jednostkowa : 7,11000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 9 987
Cena jednostkowa : 9,41000 zł
Arkusz danych
Kanał N 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA (DPAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFR4105ZPBF

Numer produktu DigiKey
IRFR4105ZPBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFR4105ZPBF
Opis
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
24,5mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
740 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
48W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-252AA (DPAK)
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.