Name: IRFR3411TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3411TRPBFTR-ND
Price: 8.6961 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFR3411TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFR3411TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFR3411TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFR3411TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFR3411TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 32A (Tc) 130W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFR3411TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 71 nC @ 10 V
Seria HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1960 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 130W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA (DPAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IRFR3411
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 44mOhm przy 16A, 10V