IRFR120NTRRPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRFR120NTRRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFR120NTRRPBF-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFR120NTRRPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 9,4A (Tc) 48W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	210mOhm przy 5,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	330 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	48W (Tc)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA (DPAK)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63

IRFR120NTRRPBF