IRF9393TRPBFXTMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF9393TRPBFXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IRF9393TRPBFXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF9393TRPBFXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF9393TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF9393TRPBFXTMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 9,2A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	13,3mOhm przy 9,2A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1110 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)

IRF9393TRPBFXTMA1