Name: IRF7303TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7303TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 6.2115 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7303TRPBFXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IRF7303TRPBFXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF7303TRPBFXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7303TRPBFXTMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 4,9A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-DSO-8-902
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,9A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	50mOhm przy 2,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	520pF przy 25V
Moc - maks.	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-DSO-8-902