Name: IRF7104TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7104PBFTR-ND
Price: 6.273 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7104TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF7104PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF7104PBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF7104PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7104TRPBF
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 2,3A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF7104TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 250mOhm przy 1A, 10V
Producent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria HEXFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 290pF przy 15V
Status części Nie do nowych projektów	Moc - maks. 2W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,3A	Bazowy numer produktu IRF71