Name: IRF7103TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7103TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 5.3013 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7103TRPBFXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IRF7103TRPBFXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IRF7103TRPBFXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IRF7103TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF7103TRPBFXTMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Standardowy czas realizacji przez producenta	46 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 50V 3A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-DSO-8-902
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 130mOhm przy 3A, 10V
Producent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria HEXFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 290pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 50V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-DSO-8-902

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 798

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	4,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,30130 zł

IRF7103TRPBFXTMA1