Ilustracja dla IRF6100PBF jest niedostępna
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF6100PBF

Numer produktu DigiKey
IRF6100PBF-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF6100PBF
Opis
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 20 V 5,1A (Ta) 2,2W (Ta) Montaż powierzchniowy 4-FlipFet™
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
5,1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
65mOhm przy 5,1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1230 pF @ 15 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,2W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
4-FlipFet™
Obudowa / skrzynia
4-FlipFet™
Bazowy numer produktu
IRF6100
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.