IRF1407STRLPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF1407STRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF1407STRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF1407STRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF1407STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF1407STRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 100A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,8mOhm przy 78A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5600 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRF1407

Cena jednostkowa bez VAT:	9,90000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,17700 zł

IRF1407STRLPBF