Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IPB100N08S2L07ATMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPB100N08S2L07ATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPB100N08S2L07ATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 75 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 6,5mOhm przy 80A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 246 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 5400 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 300W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO263-3-2 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Zapasy z platformy handlowej: 425 wyświetl teraz
Other Suppliers on DigiKey
425W magazynie
Wysyłający: Rochester Electronics, LLC
Polska