Name: IQD020N10NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD020N10NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 27.2568 PLN
Availability: InStock

Kanał N 100 V 26A (Ta), 276A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9-U02

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQD020N10NM5CGSCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQD020N10NM5CGSCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQD020N10NM5CGSCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQD020N10NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQD020N10NM5CGSCATMA1
Opis	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 26A (Ta), 276A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WHTFN-9-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQD020N10NM5CGSCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,05mOhm przy 50A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 159µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 134 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9500 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 26A (Ta), 276A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-WHTFN-9-U02
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 9-PowerWDFN