Name: IQD020N10NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD020N10NM5CGATMA1TR-ND
Price: 18.5484 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IQD020N10NM5CGATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IQD020N10NM5CGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IQD020N10NM5CGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IQD020N10NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IQD020N10NM5CGATMA1
Opis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 26A (Ta), 273A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TTFN-9-U02
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IQD020N10NM5CGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 159µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 134 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9500 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TTFN-9-U02
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 26A (Ta), 273A (Tc)	Obudowa / skrzynia 9-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IQD020
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,05mOhm przy 50A, 10V