Name: IPW60R041P6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Price: 47.9208 PLN
Availability: OutOfStock

IPW60R041P6FKSA1 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

FCH040N65S3-F155

onsemi

W magazynie: 875

Cena jednostkowa : 12,05000 zł

Arkusz danych

Similar

FCH041N60E

onsemi

W magazynie: 731

Cena jednostkowa : 12,31000 zł

Arkusz danych

Similar

FCH041N60F

onsemi

W magazynie: 699

Cena jednostkowa : 10,05000 zł

Arkusz danych

Similar

FCH043N60

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Arkusz danych

Similar

SCT3030ALGC11

Rohm Semiconductor

W magazynie: 880

Cena jednostkowa : 27,64000 zł

Arkusz danych

Similar

SIHG64N65E-GE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 479

Cena jednostkowa : 13,31000 zł

Arkusz danych

Similar

SIHG73N60AE-GE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 348

Cena jednostkowa : 10,78000 zł

Arkusz danych

Similar

SIHG73N60E-GE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 89

Cena jednostkowa : 12,78000 zł

Arkusz danych

Similar

SIHW61N65EF-GE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 480

Cena jednostkowa : 13,39000 zł

Arkusz danych

Similar

SIHW70N60EF-GE3

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 5,77825 zł

Arkusz danych

Similar

TSM60NB041PW C1G

Taiwan Semiconductor Corporation

W magazynie: 2 484

Cena jednostkowa : 13,95000 zł

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Kanał N 600 V 77,5A (Tc) 481W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPW60R041P6FKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPW60R041P6FKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPW60R041P6FKSA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 77,5A (Tc) 481W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPW60R041P6FKSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P6
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	77,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	41mOhm przy 35,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 2,96mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8180 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	481W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IPW60R041

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	38,96000 zł	38,96 zł
30	23,08300 zł	692,49 zł
120	19,59650 zł	2 351,58 zł
510	17,04327 zł	8 692,07 zł
1 020	16,83322 zł	17 169,88 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.