Odpowiednik parametryczny
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHW70N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHW70N60EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHW70N60EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIHW70N60EF-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 380 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7500 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 520W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247AD |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 38mOhm przy 35A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | 54,44000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| FCH041N60E | onsemi | 731 | FCH041N60E-ND | 51,99000 zł | Similar |
| FCH041N65EF-F155 | onsemi | 358 | FCH041N65EF-F155OS-ND | 57,63000 zł | Similar |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 502 | 448-IPW60R040C7XKSA1-ND | 43,41000 zł | Similar |
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 587 | 448-IPW60R045CPAFKSA1-ND | 64,63000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 480 | 30,07677 zł | 14 436,85 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 30,07677 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 36,99443 zł |













