SIHW70N60EF-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 270
Cena jednostkowa : 54,44000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 731
Cena jednostkowa : 51,99000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 358
Cena jednostkowa : 57,63000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 502
Cena jednostkowa : 43,41000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 587
Cena jednostkowa : 64,63000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 39,58933 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 210
Cena jednostkowa : 106,72000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 57
Cena jednostkowa : 166,07000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 65
Cena jednostkowa : 120,47000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,39253 zł
Arkusz danych

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 2 482
Cena jednostkowa : 63,05000 zł

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 300
Cena jednostkowa : 55,77000 zł
Arkusz danych

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 295
Cena jednostkowa : 44,02000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHW70N60EF-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHW70N60EF-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHW70N60EF-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SIHW70N60EF-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
380 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
7500 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
520W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
38mOhm przy 35A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (13)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHG70N60EF-GE3Vishay Siliconix270742-SIHG70N60EF-GE3-ND54,44000 złOdpowiednik parametryczny
FCH041N60Eonsemi731FCH041N60E-ND51,99000 złSimilar
FCH041N65EF-F155onsemi358FCH041N65EF-F155OS-ND57,63000 złSimilar
IPW60R040C7XKSA1Infineon Technologies1 502448-IPW60R040C7XKSA1-ND43,41000 złSimilar
IPW60R045CPAFKSA1Infineon Technologies587448-IPW60R045CPAFKSA1-ND64,63000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
48030,07677 zł14 436,85 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:30,07677 zł
Cena jednostkowa z VAT:36,99443 zł