Name: IPTC068N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC068N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 39.5322 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPTC068N20NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPTC068N20NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPTC068N20NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPTC068N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPTC068N20NM6ATMA1
Opis	IPTC068N20NM6ATMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 15,2A (Ta), 140A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-U04
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPTC068N20NM6ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,25mOhm przy 126A, 15V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 251µA
Seria OptiMOS™ 6	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 107 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7300 pF @ 100 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15,2A (Ta), 140A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-16-U04
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V, 15V	Obudowa / skrzynia Moduł 16-PowerSOP