Name: GT100N20TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N20TTTR-ND
Price: 22.7427 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT100N20TT
Numer produktu DigiKey	3141-GT100N20TTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-GT100N20TTCT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-GT100N20TTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	GT100N20TT
Opis	MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 130A (Tc) 280W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLT
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 10mOhm przy 40A, 10V
Prod. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria SGT	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 76 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4900 pF @ 100 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 280W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 130A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TOLT
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia Moduł 16-PowerSOP