Name: GT100N20TT
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT100N20TTTR-ND
Price: 18.9051 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT100N20TT
Numer produktu DigiKey	3141-GT100N20TTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-GT100N20TTCT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-GT100N20TTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	GT100N20TT
Opis	MOSFET N-CH 200V 130A 280W TOLT
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 130A (Tc) 280W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLT
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Goford Semiconductor
Seria	SGT
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	130A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4900 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	280W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TOLT
Obudowa / skrzynia	Moduł 16-PowerSOP