Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 24.4401 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPT60R102G7XTMA1
Numer produktu DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT60R102G7XTMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ G7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	102mOhm przy 7,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 390µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1320 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	141W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-2
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IPT60R102

Cena jednostkowa bez VAT:	19,87000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	24,44010 zł

IPT60R102G7XTMA1