Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 24.9567 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT60R102G7XTMA1
Numer produktu DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT60R102G7XTMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 390µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 34 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ G7	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1320 pF @ 400 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 141W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8-2
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 23A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPT60R102
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 102mOhm przy 7,8A, 10V