Name: IPT60R099CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND
Price: 17.4168 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT60R099CM8XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT60R099CM8XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT60R099CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT60R099CM8XTMA1
Opis	IPT60R099CM8XTMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 30A (Tc) 186(Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	99mOhm przy 10,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,7V przy 260µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1330 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	186(Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-2
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN